Вісник Черкаського державного технологічного університету

ISSN 2306-4412
E-ISSN 2708-6070

  • Головна
  • Статті та випуски
    • Поточний випуск
    • Архів
  • Про журнал
    • Цілі та проблематика
    • Редакційна колегія
    • Індексація журналу
  • Для авторів
    • Умови подання і права автора
    • Загальні вимоги до оформлення рукописів
    • Процес рецензування
    • Політика фінансування журналу
  • Етика та політики
    • Публікаційна етика
    • Конфлікт інтересів
    • Політика відкритого доступу та архівування
    • Політика скарг
    • Положення про конфіденційність
    • Положення про відкликання публікацій
    • Політика антиплагіату
    • Політика використання генеративного ШІ
  • Контакти
Подати статтю
uk
  • English

Стаття

Завантажити статтю

Особливості проведення досліджень мікрогеометрії та поверхневих властивостей діелектричних матеріалів для мікро- і наноелектроніки

С. Ф. Петренко, О. Г. Новаковський, Віктор Степанович Антонюк, Юлія Юріївна Бондаренко

Отримано 19.11.2017, Доопрацьовано 04.02.2018, Прийнято 10.03.2018

Анотація

У статті коротко розглянуті особливості проведення дослідження мікрогеометрії і поверхневих властивостей діелектричних матеріалів для мікро- і наноелектроніки із застосуванням методу АСМ. Показано переваги та обмеження застосування цього методу для дослідження поверхні і поверхневих властивостей діелектриків

Ключові слова:

мікрогеометрія; діелектрик; мікроелектроніка; наноелектроніка; атомно-силова мікроскопія

https://doi.org/10.24025/2306-4412.1.2018.153265

Взято з Том 23, № 1, 2018

Сторінки 5-13

Поділитися
Facebook
Twitter
LinkedIn
Email
Telegram
Viber
WhatsApp
  • 1 064 Перегляди
  • Читати статтю
Використані джерела ЦИТУВАТИ

Використані джерела

Використані джерела в процесі публікації

ЦИТУВАТИ

Petrenko, S., Novakovskii, O., Antoniuk, V., & Bondarenko, Yu. (2018). Features of microgeometry response and surface properties of dielectric materials for micro- and nanoelectronics . Bulletin of Cherkasy State Technological University, 23(1), 5-13. https://doi.org/10.24025/2306-4412.1.2018.153265

18006, Україна, м. Черкаси, бульвар Шевченка, 460

info@bulletin-chstu.com.ua

  • Контакти
  • Головна
  • Архів

© 2026 Вісник Черкаського державного технологічного університету